一種納米圖形化襯底及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011474285.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112687778A 公開（公告）日 2021-04-20
申請公布號 CN112687778A 申請公布日 2021-04-20
分類號 H01L21/02(2006.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐廣源;崔志強;賈曉龍;孟錫俊;蔣國文 申請（專利權(quán)）人 北京中科優(yōu)唯科技有限公司
代理機構(gòu) 北京和信華成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張永輝
地址 100000北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)經(jīng)海五路58號院5號樓7層708室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本專利公開了一種納米圖形化襯底的制作方法，所述方法包括：步驟一、在襯底上施加具有多個孔洞的模板，所述孔洞的直徑范圍為100nm?800nm；步驟二、透過所述模板的孔洞向所述襯底與所述孔洞對應(yīng)的表面施加氮化鋁層；步驟三、將施加有氮化鋁層的襯底進行退火。本專利還公開了使用上述方法制作的納米圖形化襯底。通過上述方案使得襯底具有納米圖形化襯底以及磁控濺射形成氮化鋁襯底的優(yōu)點。同時無需復雜的步驟制作圖形化襯底也無需在襯底上另外形成緩沖層而直接在襯底上生長高質(zhì)量的半導體外延材料。因此簡化了生產(chǎn)工藝并提高了襯底的質(zhì)量。??