一種紫外發(fā)光二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921513420.4 申請日 -
公開（公告）號 CN211182231U 公開（公告）日 2020-08-04
申請公布號 CN211182231U 申請公布日 2020-08-04
分類號 H01L33/06(2010.01)I 分類 -
發(fā)明人 霍瑞霞;崔志勇;薛建凱;郭凱 申請（專利權）人 北京中科優(yōu)唯科技有限公司
代理機構 北京和信華成知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 北京中科優(yōu)唯科技有限公司
地址 100000北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)經(jīng)海五路58號院5號樓7層708室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本專利公開了一種紫外發(fā)光二極管，其包括：外延結構；微孔結構層，設置在所述外延結構的P型半導體材料側，所述微孔結構層包括微孔區(qū)域和電極匹配區(qū)域；所述微孔區(qū)域中形成有空心孔洞；所述電極匹配區(qū)域與紫外發(fā)光二極管芯片的負極電極的形狀相匹配，所述電極匹配區(qū)域為實心區(qū)域；P型歐姆接觸層，所述P型歐姆接觸層為金屬材料層，其一側形成在所述微孔結構層上。通過上述方案由P型半導體材料層、薄型化微孔結構層、P型歐姆接觸層組成全方位反射鏡。發(fā)光層發(fā)出的光經(jīng)過ODR的反射從N電極發(fā)出，利用微孔結構和空氣界面的全反射及菲涅耳散射，從而最大化地減少現(xiàn)有技術存在的金屬反射鏡的金屬對紫光的吸收，提高了光的提取效率。??