一種紫外發(fā)光二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921509586.9 申請日 -
公開（公告）號 CN211182233U 公開（公告）日 2020-08-04
申請公布號 CN211182233U 申請公布日 2020-08-04
分類號 H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 -
發(fā)明人 王雪;崔志勇;張曉娜;張向鵬;薛建凱;郭凱;李勇強;文晉 申請（專利權(quán)）人 北京中科優(yōu)唯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京和信華成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京中科優(yōu)唯科技有限公司
地址 100000北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)經(jīng)海五路58號院5號樓7層708室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本專利涉及一種紫外發(fā)光二極管，包括透明電介質(zhì)層疊結(jié)構(gòu)，所述透明電介質(zhì)層疊結(jié)構(gòu)設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)之上，該透明電介質(zhì)層疊結(jié)構(gòu)包括上下堆疊的多層漸變折射率的透明電介質(zhì)層；每層電介質(zhì)層的厚度為d＝λ/4n。通過在出光面鍍N層透明電介質(zhì)作為增透膜，N層增透膜的作用是將有源層的光盡可能以垂直的方式透射出去，增大LED芯片的出光效率，實現(xiàn)高出光效率的紫外LED的制備。??