一種LED芯片的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911308487.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111276577A 公開（公告）日 2020-06-12
申請公布號 CN111276577A 申請公布日 2020-06-12
分類號 H01L33/00(2010.01)I;H01L21/78(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 郭凱;崔志勇;薛建凱;張向鵬;尉尊康;王雪;張曉娜;李勇強 申請（專利權）人 北京中科優(yōu)唯科技有限公司
代理機構 北京和信華成知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 北京中科優(yōu)唯科技有限公司
地址 100000北京市順義區(qū)中關村科技園區(qū)順義園臨空二路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本專利公開了一種LED芯片的制造方法，所述方法包括如下步驟：在襯底上生長外延層材料，形成包括多個LED芯片的晶圓模塊；在所述襯底上形成多層改質層，包括：在襯底中形成端部改質層，所述端部改質層位于所述襯底內距離襯底厚度方向端部附近；在襯底中形成多個中部改質層,所述中部改質層在所述襯底厚度的方向上比所述端部改質層更接近所述襯底厚度的中心；將所述晶圓模塊分裂成多個LED芯片。通過上述技術方案，通過隱形劃片形成的改質層，達到襯底側壁大面積且有規(guī)則鋸齒形狀的粗化效果。通過對襯底側壁進行粗化，可使部分無法從正面出來的光子，從側面發(fā)出，從而達到提高出光效率。??