一種倒裝紫外發(fā)光二極管芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201921515520.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211182232U | 公開（公告）日 | 2020-08-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211182232U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-04 |
| 分類號(hào) | H01L33/06(2010.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 張向鵬;崔志勇;李勇強(qiáng);薛建凱;王雪;郭凱;張曉娜 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 北京中科優(yōu)唯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京和信華成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 北京中科優(yōu)唯科技有限公司 |
| 地址 | 100000北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)經(jīng)海五路58號(hào)院5號(hào)樓7層708室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本專利公開了一種倒裝的紫外發(fā)光二極管芯片，包括：紫外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)，所述P型歐姆接觸層上設(shè)置有多個(gè)減薄區(qū)域；電流擴(kuò)散層，所述電流擴(kuò)散層設(shè)置在所述P型歐姆接觸層的下表面；隨著所述述P型歐姆接觸層的表面起伏而與所述述P型歐姆接觸層貼合設(shè)置；DBR透鏡層，所述DBR透鏡層設(shè)置在所述電流擴(kuò)散層的下表面，隨著電流擴(kuò)散層的表面起伏而與所述沿著所述電流擴(kuò)散層貼合設(shè)置；正極電極，所述正極電極的一部分穿過(guò)所述P型歐姆接觸層、電流擴(kuò)散層與所述P型半導(dǎo)體材料層接觸；所述正極電極的另一部分與所述電流擴(kuò)散層接觸；通過(guò)上述方案提高了紫外發(fā)光二極管芯片的發(fā)光亮度。?? |
