具有自體光子晶體結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管芯片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011623915.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112750924A 公開（公告）日 2021-05-04
申請公布號 CN112750924A 申請公布日 2021-05-04
分類號 H01L33/00;H01L33/06;H01L33/18;H01L33/24 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 尉尊康;崔志勇;曾一平 申請（專利權(quán)）人 北京中科優(yōu)唯科技有限公司
代理機構(gòu) 北京和信華成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 胡劍輝
地址 101300 北京市順義區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)順義園臨空二路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種具有自體光子晶體結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管芯片的制備方法，包括以下步驟：(1)、在一次襯底(100)上生長外延結(jié)構(gòu)(110)；(2)、在外延結(jié)構(gòu)(110)頂層上表面沉積金屬層(120)；(3)、在金屬層(120)上沉積鍵合金屬層(130)；(4)、在鍵合金屬層(130)上鍵合二次襯底(140)；(5)、去除掉一次襯底(100)，裸露出外延結(jié)構(gòu)(110)底層界面，然后對其進行蝕刻，形成接入電極的半導體層；(6)、采用激光輻照的方式在半導體層上制作由自體GaN與空氣構(gòu)成的自體光子晶體結(jié)構(gòu)；(7)、在半導體層的具有自體光子晶體結(jié)構(gòu)的出光面上沉積電極(150)。其加工簡單、局限性小、成本低且光子晶體損結(jié)構(gòu)傷小。