一種碳化硅溶液法中實(shí)時(shí)監(jiān)測并調(diào)整固液界面高度的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610482560.4 申請日 -
公開（公告）號 CN106048713B 公開（公告）日 2018-06-26
申請公布號 CN106048713B 申請公布日 2018-06-26
分類號 C30B11/00;C30B29/36 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 朱燦;呂宇君;李斌 申請（專利權(quán)）人 山東天岳晶體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南舜源專利事務(wù)所有限公司 代理人 苗峻
地址 250118 山東省濟(jì)南市槐蔭區(qū)美里湖美里路中段
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及碳化硅溶液法領(lǐng)域，尤其涉及一種碳化硅溶液法中實(shí)時(shí)監(jiān)測液面接觸高度的方法，采用了采用了高精密度電流計(jì)，通過指針的偏轉(zhuǎn)來判斷SiC籽晶是否與石墨坩堝內(nèi)的熔融液面接觸，根據(jù)電流計(jì)顯示的確切數(shù)值推算出SiC籽晶與熔融液接觸的具體高度，確保了晶體生長實(shí)驗(yàn)的精確性、接觸液面的實(shí)時(shí)可控，直觀有效地得到籽晶所接觸液面高度的目的，此外在一定程度上也更好地促進(jìn)了SiC晶體的可控生長。此外本過程無需人工耗時(shí)觀察，避免熔融液與外界的氣氛對流，避免了觀察耗時(shí)久、工時(shí)長、滯后不及時(shí)等弊端，解決了溶液法中存在的這一難題，更利于生產(chǎn)高品質(zhì)單晶SiC材料。