一種高純半絕緣碳化硅襯底的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710019521.5 申請日 -
公開（公告）號 CN106757357B 公開（公告）日 2019-04-09
申請公布號 CN106757357B 申請公布日 2019-04-09
分類號 C30B29/36（2006.01）I; C30B33/02（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 高超; 宗艷民; 李長進; 李加林 申請（專利權）人 山東天岳晶體材料有限公司
代理機構 濟南舜源專利事務所有限公司 代理人 趙斌;苗峻
地址 250100 山東省濟南市高新區(qū)新宇路西側世紀財富中心AB座1106-6-01室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于新材料加工技術領域，發(fā)明人提供了一種全新的高純半絕緣碳化硅襯底的制備方法，該方法采用正常獲得的碳化硅單晶進行粗加工，切割得到厚度為3?8mm的晶棒，或加工為厚度為300?800μm的碳化硅晶片之后對上述晶棒或晶片進行高溫快速退火從而獲得高純半絕緣碳化硅襯底，該方法避免了在碳化硅晶體生長過程中進行熱場調節(jié)，而是直接對加工好的高質量碳化硅單晶進行二次高溫快速退火加工，從而在晶片中引入本征點缺陷來實現(xiàn)碳化硅單晶的半絕緣特性，獲得的半絕緣碳化硅襯底品質好且加工方法簡單，效率較之現(xiàn)有技術更高。