一種自密封碳化硅晶體生長用坩堝裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721155444.8 申請日 -
公開（公告）號 CN207862478U 公開（公告）日 2018-09-14
申請公布號 CN207862478U 申請公布日 2018-09-14
分類號 C30B13/14;C30B29/36 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉鵬飛 申請（專利權(quán)）人 山東天岳晶體材料有限公司
代理機構(gòu) 濟南舜源專利事務(wù)所有限公司 代理人 趙斌;苗峻
地址 250118 山東省濟南市槐蔭區(qū)美里湖美里路中段
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型設(shè)計了一種能夠自密封的碳化硅晶體生長用坩堝裝置，通過將籽晶軸變形和坩堝蓋分解等改進，有效的解決了現(xiàn)有技術(shù)中坩堝的開放式設(shè)計，開口尺寸大于晶體尺寸，籽晶軸直徑等于晶體尺寸導(dǎo)致的坩堝內(nèi)熱量損耗大、溫度梯度大、物料揮發(fā)多、保溫材料壽命折損等問題。