一種生長(zhǎng)高品質(zhì)碳化硅晶須的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610482192.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN106048728B | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-06-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106048728B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-06-26 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B29/36;C30B29/62;C30B9/00 | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 朱燦;李斌;宋生;張亮 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 山東天岳晶體材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 濟(jì)南舜源專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 苗峻 |
| 地址 | 250118 山東省濟(jì)南市槐蔭區(qū)美里湖美里路中段 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于碳化硅溶液法技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種生長(zhǎng)高品質(zhì)碳化硅晶須的方法，采用了以一種生長(zhǎng)裝置實(shí)現(xiàn)，通過(guò)將晶須收集棒和收集板浸入到石墨坩堝中的碳化硅溶液中，通過(guò)調(diào)整合成位置和合成溫度，可調(diào)控生長(zhǎng)晶須。采用本發(fā)明提供了一種生產(chǎn)高品質(zhì)SiC晶須的方法，生產(chǎn)過(guò)程簡(jiǎn)單，操作性強(qiáng)，生產(chǎn)成本低，可批量化生長(zhǎng)可控尺寸的高品質(zhì)碳化硅晶須。 |
