一種碳化硅寶石的制作工藝
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201510909887.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN105463572B | 公開(公告)日 | 2018-01-09 |
申請公布號 | CN105463572B | 申請公布日 | 2018-01-09 |
分類號 | C30B29/36(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 張澤群;張哲;崔靜 | 申請(專利權(quán))人 | 山東天岳晶體材料有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 濟(jì)南舜源專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 苗峻 |
地址 | 200120 上海市浦東新區(qū)洪山路164號C213 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種碳化硅寶石的制作工藝,在高溫條件下從頭發(fā)中提取碳,將提取到碳融入到碳化硅單晶生長原料中,采用升華法生長碳化硅單晶,在生長過程中采用獨(dú)有的坩堝套裝技術(shù),通過復(fù)雜的溫場控制技術(shù),生長多顆單粒碳化硅單晶,將碳化硅打磨成寶石。 |
