基于偏置電路的低功耗上電復(fù)位電路和方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | 2020111977006 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112290923A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-01-29 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112290923A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-29 |
| 分類(lèi)號(hào) | H03K17/22(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 鄭軒;宋振宇;黃楊程 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廣州鴻博微電子技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京澤方譽(yù)航專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 陳照輝 |
| 地址 | 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)科學(xué)大道18號(hào)A棟402房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種基于偏置電路的低功耗上電復(fù)位電路和方法；包括：低功耗偏置電路和上電復(fù)位電路；所述低功耗偏置電路和所述上電復(fù)位電路連接；低功耗偏置電路包括第一偏置電流輸出端、第二偏置電流輸出端和高電位輸出端；上電復(fù)位電路包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第七NMOS管、施密特觸發(fā)器和上升沿延遲器；本申請(qǐng)實(shí)施例整個(gè)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，元件很少，電流支路少，每個(gè)支路的電流可以非常低且上電前電路中的元件不工作，從而降低電路功耗，減少電池的消耗量，使用第三NMOS管和第四PMOS管以及前級(jí)復(fù)用的低功耗偏置電路代替通常為了低功耗而使用的阻值高達(dá)十幾兆的大電阻，能夠顯著的減小芯片的面積，大大節(jié)省芯片的成本。?? |
