基于Trench工藝的溝槽型高壓隔離電容器件及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110238736.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112864321A 公開（公告）日 2021-05-28
申請公布號 CN112864321A 申請公布日 2021-05-28
分類號 H01L49/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃昊丹;黃飛明;勵(lì)曄 申請（專利權(quán)）人 無錫硅動力微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良;涂三民
地址 214028 江蘇省無錫市新吳區(qū)珠江路51號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于Trench工藝的溝槽型高壓隔離電容器件及制備方法，在硅襯底上開設(shè)有至少四個(gè)凹槽，對凹槽的側(cè)面與底面的硅襯底以及硅襯底的上表面進(jìn)行高溫氧化而形成二氧化硅介質(zhì)層，在凹槽內(nèi)均填充有多晶硅，位于最左、右側(cè)凹槽內(nèi)形成接地多晶硅，位于中部凹槽內(nèi)形成高壓隔離電容器件多晶硅，在多晶硅的上表面設(shè)有絕緣覆蓋二氧化硅層與絕緣覆蓋氮化硅層，在絕緣覆蓋層上開設(shè)接觸孔，在接觸孔內(nèi)設(shè)有接地多晶硅引出電極與高壓隔離電容器件多晶硅引出電極。本發(fā)明的電容器件耐壓高且結(jié)構(gòu)簡單，本發(fā)明的制備方法解決了電容器件的二氧化硅介質(zhì)層的厚度難以生長的問題，實(shí)現(xiàn)了電容器件的高隔離電壓。