一種標(biāo)準(zhǔn)硅片的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111420109.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114134558A 公開（公告）日 2022-03-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN114134558A 申請(qǐng)公布日 2022-03-04
分類號(hào) C30B13/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李朋飛;徐巖;邢陽陽;徐雯;茍帥斌;左賽虎;曹艷云;常青;王俊;關(guān)文濤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 張一軍;王安娜
地址 719208陜西省榆林市佳縣工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種標(biāo)準(zhǔn)硅片的制作方法，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實(shí)施方式包括：從硅棒上取出硅生長層；將所述硅生長層浸泡在摻雜了施受主元素的標(biāo)準(zhǔn)溶液中；從所述標(biāo)準(zhǔn)溶液中取出所述硅生長層，并對(duì)所述硅生長層采用區(qū)熔方法進(jìn)行制作，從而得到標(biāo)準(zhǔn)硅片。該實(shí)施方式能夠解決不存在能夠?qū)κ┦苤髟赝瑫r(shí)進(jìn)行摻雜且應(yīng)用在低溫傅里葉紅外檢測設(shè)備上的標(biāo)準(zhǔn)硅片的制作方法的技術(shù)問題。