一種檢測(cè)區(qū)熔多晶硅表面損傷深度的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111406144.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114184622A 公開（公告）日 2022-03-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN114184622A 申請(qǐng)公布日 2022-03-15
分類號(hào) G01N21/95（2006.01）I;G01N1/28（2006.01）I;G01N1/32（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 李朋飛;徐巖;王春靜;邢陽陽;王露;董永鴿;曹佳佳;韓秀英;張艷玲;左賽虎 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 張一軍;王安娜
地址 719208陜西省榆林市佳縣工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種檢測(cè)區(qū)熔多晶硅表面損傷深度的方法，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實(shí)施方式包括：從機(jī)加后的區(qū)熔多晶硅棒上切割下一段多晶硅棒；從所述多晶硅棒的外緣上獲取多晶硅片；采用蝕刻劑對(duì)所述多晶硅片進(jìn)行蝕刻；采用顯微鏡采集蝕刻后的所述多晶硅片的表面的損傷圖像，從而檢測(cè)區(qū)熔多晶硅表面的損傷深度。該實(shí)施方式能夠解決目前沒有可以實(shí)現(xiàn)檢測(cè)區(qū)熔多晶硅表面損傷深度的方法的技術(shù)問題。