一種檢測區(qū)熔多晶硅生長缺陷的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111407651.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114034715A 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN114034715A 申請公布日 2022-02-11
分類號 G01N21/95（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 李朋飛;徐巖;邢陽陽;魚海斌;楊強國;左賽虎;茍帥斌;李曉梅;李強;施航 申請（專利權(quán)）人 陜西有色天宏瑞科硅材料有限責任公司
代理機構(gòu) 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 代理人 張一軍;王安娜
地址 719208陜西省榆林市佳縣工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種檢測區(qū)熔多晶硅生長缺陷的方法，涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實施方式包括：從區(qū)熔多晶硅棒上切割下一段多晶硅棒；從所述多晶硅棒上獲取多晶硅片；采用蝕刻劑對所述多晶硅片進行蝕刻；采用顯微鏡采集蝕刻后的所述多晶硅片的生長圖像，從而檢測區(qū)熔多晶硅的生長缺陷。該實施方式能夠解決缺少可以實現(xiàn)檢測區(qū)熔多晶硅生長缺陷的方法的技術(shù)問題。