一種導(dǎo)模法生長β-Ga

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921952076.9 申請日 -
公開（公告）號 CN211848204U 公開（公告）日 2020-11-03
申請公布號 CN211848204U 申請公布日 2020-11-03
分類號 C30B15/34(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 武志龍;丁言國;葉崇志 申請（專利權(quán)）人 上海新漫晶體材料科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 201821上海市嘉定區(qū)葉城路1611號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種導(dǎo)模法生長β?Ga2O3晶體的生長裝置，包括坩堝、蓋板、焊接片、模具組件；在所述坩堝的上方設(shè)置相對放置的所述蓋板；在蓋板中間設(shè)置模具組件；在模具組件的兩側(cè)與焊接片的一端焊接，焊接片的一端搭接放在坩堝上；蓋板與模具組件和焊接片之間無縫隙；利用上述的導(dǎo)模法生長β?Ga2O3晶體的生長裝置生長出來的β?Ga2O3晶體，直接長出片狀晶體，減少了許多工序，有效節(jié)省了人工和原料成本，同時，在坩堝上設(shè)置鍋蓋的結(jié)構(gòu)，解決了β?Ga2O3晶體的組分中存在易揮發(fā)物質(zhì)，會對單晶爐，籽晶等造成污染的技術(shù)問題。??