一種用于晶體生長的銥金坩堝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020061602.9 申請日 -
公開（公告）號 CN211595845U 公開（公告）日 2020-09-29
申請公布號 CN211595845U 申請公布日 2020-09-29
分類號 C30B15/10(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 丁言國;葉崇志;丁祖兵;陳凱 申請（專利權(quán)）人 上海新漫晶體材料科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 201821上海市嘉定區(qū)葉城路1611號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種用于晶體生長的銥金坩堝，是通過在銥金坩堝側(cè)壁極易出現(xiàn)變形的地方增加一種加強筋從而增加銥金坩堝側(cè)壁的強度，以及對銥金坩堝的外表面噴涂一種致密的耐高溫保護涂層，將銥金坩堝的外表面包裹起來，從而阻止銥金揮發(fā)和逸散到環(huán)境大氣中，達到降低銥金坩堝變形的目的。該實用新型銥金坩堝用來生長熔點超過2000℃的LYSO晶體，晶體生長持續(xù)時間為15天，經(jīng)過多次生長晶體后，銥金坩堝表面無明顯的銥金揮發(fā)和明顯的變形現(xiàn)象，保護涂層沒有出現(xiàn)脫落和開裂的現(xiàn)象，晶體產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)比較穩(wěn)定，銥金坩堝可以反復(fù)使用周期達到20次以上，從而有效的降低晶體產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)成本。??