導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制備方法和薄膜晶體管陣列基板的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911167176.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112838049A 公開（公告）日 2021-05-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN112838049A 申請(qǐng)公布日 2021-05-25
分類號(hào) H01L21/768;H01L27/12 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃展寬;赫義煊;周文豐;吳超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深超光電（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐麗
地址 518109 廣東省深圳市寶安區(qū)龍華街道辦民清路深超光電科技園A棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制備方法，其包括以下步驟：形成導(dǎo)電層；于所述導(dǎo)電層上形成光阻層；以及利用所述光阻層對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化，形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相較于所述光阻層的雙邊關(guān)鍵尺寸偏差為0.3微米至0.8微米。還提供一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法。