一種去除工業(yè)硅中硼的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010242101.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101913608B 公開（公告）日 2012-07-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN101913608B 申請(qǐng)公布日 2012-07-25
分類號(hào) C01B33/037(2006.01)I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 譚毅;姜大川;董偉;顧正;彭旭 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 大連理工大學(xué)技術(shù)轉(zhuǎn)移中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 大連理工大學(xué)專利中心 代理人 關(guān)慧貞
地址 116024 遼寧省大連市甘井子區(qū)凌工路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明一種工業(yè)硅除硼的方法屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將工業(yè)硅中的雜質(zhì)硼去除的方法。該方法將工業(yè)硅料放入純度為99.9％以上的石英環(huán)中，在電子束作用下熔煉，利用高真空度將氧化硼去除。先將工業(yè)硅料放入石英環(huán)中；再將石英環(huán)放入水冷銅坩堝中，關(guān)閉真空裝置蓋。其所采用裝置由真空裝置蓋、真空?qǐng)A桶構(gòu)成裝置的外殼，真空?qǐng)A桶內(nèi)腔即為真空室?？梢詫⒎帜禂?shù)較大的硼用電子束熔煉去除，有效提高了多晶硅的純度，具有效率高、裝置簡單、節(jié)約能源的優(yōu)點(diǎn)。