一種去除工業(yè)硅中硼的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201010242101.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN101913608A | 公開(公告)日 | 2010-12-15 |
申請公布號 | CN101913608A | 申請公布日 | 2010-12-15 |
分類號 | C01B33/037(2006.01)I | 分類 | 無機化學(xué); |
發(fā)明人 | 譚毅;姜大川;董偉;顧正;彭旭 | 申請(專利權(quán))人 | 大連理工大學(xué)技術(shù)轉(zhuǎn)移中心有限公司 |
代理機構(gòu) | 大連理工大學(xué)專利中心 | 代理人 | 大連理工大學(xué);大連理工高郵研究院有限公司 |
地址 | 116024 遼寧省大連市甘井子區(qū)凌工路2號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明一種工業(yè)硅除硼的方法屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將工業(yè)硅中的雜質(zhì)硼去除的方法。該方法將工業(yè)硅料放入純度為99.9%以上的石英環(huán)中,在電子束作用下熔煉,利用高真空度將氧化硼去除。先將工業(yè)硅料放入石英環(huán)中;再將石英環(huán)放入水冷銅坩堝中,關(guān)閉真空裝置蓋。其所采用裝置由真空裝置蓋、真空圓桶構(gòu)成裝置的外殼,真空圓桶內(nèi)腔即為真空室??梢詫⒎帜禂?shù)較大的硼用電子束熔煉去除,有效提高了多晶硅的純度,具有效率高、裝置簡單、節(jié)約能源的優(yōu)點。 |
