高熱穩(wěn)定性和低電阻率C摻雜Cu薄膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910312326.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101748373B 公開(kāi)（公告）日 2011-03-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN101748373B 申請(qǐng)公布日 2011-03-16
分類號(hào) C23C14/35(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李曉娜;聶利飛;董闖 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 大連理工大學(xué)技術(shù)轉(zhuǎn)移中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 大連星海專利事務(wù)所 代理人 大連理工大學(xué);大連理工常州研究院有限公司
地址 116024 遼寧省大連市高新園區(qū)凌工路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高熱穩(wěn)定性和低電阻率C摻雜Cu薄膜的制備方法，屬于新材料領(lǐng)域。該制備方法利用混合焓和原子尺寸作為添加元素判據(jù)，輔助以相圖，選擇C為摻雜元素；并以固溶體模型為理論依據(jù)，于Si基體上濺射Cu（4at%C）薄膜。薄膜制備工藝步驟是：基片清洗、設(shè)備抽取真空、濺射過(guò)程。其中濺射功率為340w，濺射時(shí)間為20min，氬氣流量為220sccm，工作氣壓為0.6Pa，得到250nm厚的C摻雜Cu薄膜。由于Cu膜中元素C的適量加入,以及形成的自鈍化非晶層，可以有效的阻擋Cu-Si之間的擴(kuò)散，薄膜真空退火后可以得到低電阻率的Cu薄膜，C的加入提高了Cu膜的熱穩(wěn)定性能。