一種鋁量子阱激光器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110628970.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113078553A 公開（公告）日 2021-07-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN113078553A 申請(qǐng)公布日 2021-07-06
分類號(hào) H01S5/12（2021.01）I;H01S5/343（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張海超;穆瑤;師宇晨;李馬惠;潘彥廷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 馬貴香
地址 712000陜西省咸陽市西咸新區(qū)灃西新城世紀(jì)大道55號(hào)清華科技園北區(qū)加速器20號(hào)廠房C區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種鋁量子阱激光器及其制備方法，制備方法包括以下步驟：采用多硫化銨溶液處理刻蝕面上的氧化物，并生成硫化物保護(hù)層；采用金屬有機(jī)氣相沉積在InP基板表面依次生長波導(dǎo)層和第三InP層，在金屬有機(jī)氣相外延沉積生長前的升溫過程中，烘烤刻蝕面使硫化物保護(hù)層的硫原子解吸附，生成硫單質(zhì)隨載氣升華。此解決含鋁量子阱激光器刻蝕面氧化問題的發(fā)明的工藝，與傳統(tǒng)的鈍化技術(shù)相比，成本低，工藝簡單，穩(wěn)定性強(qiáng)。