一種25G抗反射激光器的制備工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010415176.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111541148B 公開（公告）日 2021-06-11
申請公布號 CN111541148B 申請公布日 2021-06-11
分類號 H01S5/12;H01S5/22 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 董延;李馬惠;潘彥廷 申請（專利權(quán)）人 陜西源杰半導體科技股份有限公司
代理機構(gòu) 西安通大專利代理有限責任公司 代理人 姚詠華
地址 712000 陜西省咸陽市西咸新區(qū)灃西新城世紀大道55號清華科技園北區(qū)加速器20號廠房C區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種25G抗反射激光器的制備工藝，包括基板和和依次設(shè)置在基板上的有源區(qū)、第一包層和衍射光柵層，第一包層和衍射光柵層一端設(shè)置有端面刻蝕區(qū)，端面刻蝕區(qū)底部位于基板內(nèi)，且端面刻蝕區(qū)內(nèi)生長有抗反射層；衍射光柵層和抗反射層上依次覆蓋有第二包層、接觸層和p?金屬電極層，基板下表面鍍有n?金屬電極層，抗反射層的一端鍍上抗反射鍍膜層，另一端鍍上高反射鍍膜層。本發(fā)明的制備工藝實現(xiàn)簡單且不改變激光器本身原有的特性，通過使端面的光波導層與有源區(qū)層形成上下錯位，使得光在沿原路返回時不會進入有源區(qū)，解決了輸出端光反射對有源區(qū)造成的擾動問題，且在封裝過程中不用再使用價格昂貴的光隔離器件，降低了封裝的成本。