半導(dǎo)體器件制備方法及半導(dǎo)體器件
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | 2020114619686 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112271209A | 公開（公告）日 | 2021-01-26 |
| 申請公布號 | CN112271209A | 申請公布日 | 2021-01-26 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李馬惠;師宇晨;張海超;穆瑤 | 申請（專利權(quán)）人 | 陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京華進京聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 馬云超 |
| 地址 | 710000陜西省西安市西咸新區(qū)灃西新城總部經(jīng)濟園9號樓1311室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請涉及一種半導(dǎo)體器件制備方法及半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件制備方法包括如下步驟：提供襯底，并在所述襯底的表面生長第一包覆層；在所述第一包覆層遠離所述襯底的表面生長第一限制異質(zhì)結(jié)層；在所述第一限制異質(zhì)結(jié)層遠離所述第一包覆層的表面生長有源層；在所述有源層遠離所述第一限制異質(zhì)結(jié)層的表面生長第二限制異質(zhì)結(jié)層；其中，沿所述第一包覆層至所述第二限制異質(zhì)結(jié)層方向上，所述第一限制異質(zhì)結(jié)層的禁帶寬度逐漸變小，所述第二限制異質(zhì)結(jié)層的禁帶寬度逐漸變大。在第一限制異質(zhì)結(jié)層與第二限制異質(zhì)結(jié)層之間形成了禁帶寬度梯度差，可以加快載流子在異質(zhì)結(jié)中移動，從而降低了載流子在異質(zhì)結(jié)中的渡越時間，提高了載流子注入效率。?? |
