半導(dǎo)體器件制備方法及半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011461968.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112271209B 公開（公告）日 2021-08-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN112271209B 申請(qǐng)公布日 2021-08-13
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李馬惠;師宇晨;張海超;穆瑤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 李鵬威
地址 710000陜西省西安市西咸新區(qū)灃西新城總部經(jīng)濟(jì)園9號(hào)樓1311室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體器件制備方法及半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件制備方法包括如下步驟：提供襯底，并在所述襯底的表面生長第一包覆層；在所述第一包覆層遠(yuǎn)離所述襯底的表面生長第一限制異質(zhì)結(jié)層；在所述第一限制異質(zhì)結(jié)層遠(yuǎn)離所述第一包覆層的表面生長有源層；在所述有源層遠(yuǎn)離所述第一限制異質(zhì)結(jié)層的表面生長第二限制異質(zhì)結(jié)層；其中，沿所述第一包覆層至所述第二限制異質(zhì)結(jié)層方向上，所述第一限制異質(zhì)結(jié)層的禁帶寬度逐漸變小，所述第二限制異質(zhì)結(jié)層的禁帶寬度逐漸變大。在第一限制異質(zhì)結(jié)層與第二限制異質(zhì)結(jié)層之間形成了禁帶寬度梯度差，可以加快載流子在異質(zhì)結(jié)中移動(dòng)，從而降低了載流子在異質(zhì)結(jié)中的渡越時(shí)間，提高了載流子注入效率。