一種10G抗反射激光器及其制備工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010415177.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111541149B 公開（公告）日 2021-06-08
申請公布號 CN111541149B 申請公布日 2021-06-08
分類號 H01S5/12;H01S5/22 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 董延;李馬惠;潘彥廷 申請（專利權(quán)）人 陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機構(gòu) 西安通大專利代理有限責任公司 代理人 姚詠華
地址 712000 陜西省咸陽市西咸新區(qū)灃西新城世紀大道55號清華科技園北區(qū)加速器20號廠房C區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種10G抗反射激光器及其制備工藝，10G抗反射激光器包括基板和和依次設(shè)置在基板上的有源區(qū)、第一包層和衍射光柵層，第一包層和衍射光柵層一端設(shè)置有端面刻蝕區(qū)，端面刻蝕區(qū)底部位于基板內(nèi)，且端面刻蝕區(qū)內(nèi)生長有抗反射改善層；衍射光柵層和抗反射層上依次覆蓋有第二包層、接觸層和p?金屬電極層，基板下表面鍍有n?金屬電極層，抗反射層的一端鍍上抗反射鍍膜層，另一端鍍上高反射鍍膜層。對接區(qū)域的光波導(dǎo)層厚度加厚以及光波導(dǎo)層對有源區(qū)端面的包覆，有效的提高了有源區(qū)光耦合至光波導(dǎo)層的耦光效率；并且出光端面的反射光在經(jīng)過光波導(dǎo)的反向傳輸路徑中，能有效衰減至不影響原激光器增益區(qū)域的諧振行為。