通訊用光放大器與光電二極管探測(cè)器集成元件及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010682758.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN111816669B 公開(kāi)(公告)日 2021-06-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN111816669B 申請(qǐng)公布日 2021-06-25
分類(lèi)號(hào) H01L27/144 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘彥廷;李馬惠;陳發(fā)濤;曹凡;穆瑤 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 代理人 馬貴香
地址 712000 陜西省咸陽(yáng)市西咸新區(qū)灃西新城世紀(jì)大道55號(hào)清華科技園北區(qū)加速器20號(hào)廠房C區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了通訊用光放大器與光電二極管探測(cè)器集成元件及制備方法,集成元件包括基板,基板上依次設(shè)置有光電二極管有源層、光放大器有源層和模斑轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)層,模斑轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)層位于靠近集成元件的收光端面一側(cè),模斑轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)層的底面低于光放大器有源層的底面,光電二極管有源層和光放大器有源層上覆蓋有第一包層,第一包層和模斑轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)層上覆蓋有第二包層,第二包層上自下至上依次覆蓋有接觸層和p?金屬電極層,基板下表面鍍有n?金屬電極層。本發(fā)明將斑駁轉(zhuǎn)換器作為半導(dǎo)體光波導(dǎo)結(jié)構(gòu),提升耦光效率;采取邊耦合的形式,將入射光引入集成探測(cè)器元件,簡(jiǎn)化了工藝流程,可實(shí)現(xiàn)50G PON以上系統(tǒng)接收端光探測(cè)器的國(guó)產(chǎn)化批量生產(chǎn)。