半導(dǎo)體單晶材料加熱爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023116203.7 申請日 -
公開（公告）號 CN215404660U 公開（公告）日 2022-01-04
申請公布號 CN215404660U 申請公布日 2022-01-04
分類號 C30B35/00（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 莫里斯·楊;劉衛(wèi)國;周文婉;李志高 申請（專利權(quán)）人 朝陽通美晶體科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 122300遼寧省朝陽市喀左縣經(jīng)濟開發(fā)區(qū)306室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及半導(dǎo)體單晶材料加熱爐，其包括機架、加熱套、托架、升降組件，機架上部設(shè)有加熱套，加熱套兩側(cè)分別連接固定桿，固定桿下方固定連接擺動臂，擺動臂下端設(shè)有第一螺桿，加熱套下方設(shè)有托架，托架下方設(shè)有升降組件。本實用新型可用于對石英管進行垂直加熱，方便對石英管進行放置、卸載。