一種碳化硅晶錠生長裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210519335.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114737249A 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號 CN114737249A 申請公布日 2022-07-12
分類號 C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李有群;賀賢漢;周杰;吳寒 申請（專利權(quán)）人 安徽微芯長江半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 銅陵市天成專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 244000安徽省銅陵市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)西湖三路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅晶錠生長裝置，涉及碳化硅晶錠技術(shù)領(lǐng)域，包括筒體，筒體內(nèi)設(shè)有加熱內(nèi)膽，筒體上部設(shè)有蓋體；筒體上貫穿設(shè)有多個投料管，投料管的一端穿過加熱內(nèi)膽延伸至加熱內(nèi)膽的內(nèi)部，并固定有坩堝；多個坩堝在加熱內(nèi)膽的內(nèi)部排布呈倒立的堆型結(jié)構(gòu)；每個投料管上連接有儲料箱，儲料箱與投料管之間設(shè)有投料機(jī)構(gòu)；蓋體的下方設(shè)有可旋轉(zhuǎn)的碳化硅晶錠生長板，碳化硅晶錠生長板的上方設(shè)有冷卻槽。本發(fā)明還提出了一種碳化硅晶錠生長的方法，通過碳化硅與摻雜物質(zhì)之間升華的方式生長出碳化硅晶錠。本發(fā)明可使碳化硅與摻雜劑進(jìn)行同步升華立體分布混合，生成出摻雜濃度更加均勻的半絕緣碳化硅晶錠，提高了半絕緣碳化硅晶錠的質(zhì)量。