一種高純多晶硅的生產(chǎn)方法及生產(chǎn)裝備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910158901.2 申請日 -
公開（公告）號 CN101602506B 公開（公告）日 2012-10-24
申請公布號 CN101602506B 申請公布日 2012-10-24
分類號 C01B33/037(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 張洪平;王冬 申請（專利權(quán)）人 沈陽三特真空科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京邦信陽專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 錦州市三特真空冶金技術(shù)工業(yè)有限公司;沈陽三特真空科技有限公司
地址 121003 遼寧省錦州市太和區(qū)錦義街66號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高純多晶硅的生產(chǎn)方法以及利用該生產(chǎn)方法生產(chǎn)高純多晶硅的生產(chǎn)裝備，其中所述的生產(chǎn)方法包括如下步驟：硅料準(zhǔn)備、熔煉包裝料、硅料熔煉、除渣、熔融硅精煉、硅液擋渣澆鑄、硅液真空脫氣與定向凝固、硅錠出爐和去皮切割，其中，所述硅料準(zhǔn)備步驟中所使用的硅料為冶金級還原硅，在所述硅料熔煉步驟中采用的加熱方式包括化學(xué)燃燒加熱。所述生產(chǎn)裝備包括至少三個以上相同的用于熔煉包或精煉包的包結(jié)構(gòu)，其中一個包用于熔煉操作中，一個包用于精煉操作中，一個包用于修補(bǔ)、預(yù)熱或裝料操作中。采用本發(fā)明的生產(chǎn)方法和裝備，可以大規(guī)模、低成本地生產(chǎn)高純多晶硅。