降低復(fù)合速率的PERC電池的制作方法和PERC電池
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110702939.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113328012A | 公開(公告)日 | 2021-08-31 |
申請公布號 | CN113328012A | 申請公布日 | 2021-08-31 |
分類號 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0236(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 應(yīng)小卡;福井健次;習(xí)冬勇;夏吉東;陳議文;李貴勇;陳剛 | 申請(專利權(quán))人 | 廣東愛旭科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 深圳盛德大業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 賈振勇 |
地址 | 322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)好派路655號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請適用于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種降低復(fù)合速率的PERC電池的制作方法和PERC電池。降低復(fù)合速率的PERC電池的制作方法包括:對硅基底進(jìn)行制絨處理,以在制絨后的硅基底形成拋光層和被拋光層間隔的絨面層;對制絨后的硅基底進(jìn)行擴(kuò)散處理,以形成擴(kuò)散層;對擴(kuò)散后的硅基底進(jìn)行刻蝕處理;對刻蝕后的硅基底進(jìn)行退火處理,以形成氧化硅層;在退火后的硅基底沉積背面膜層和正面膜層;在沉積了背面膜層和正面膜層的硅基底上制作電路,電路包括電極,電極設(shè)于拋光層。如此,既能夠通過絨面層降低對太陽光的反射率,又能夠通過拋光層降低電極接觸區(qū)域的表面復(fù)合速率,有利于提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。 |
