硅異質(zhì)結太陽能電池本征非晶硅膜層的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910458968.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112011788A 公開（公告）日 2020-12-01
申請公布號 CN112011788A 申請公布日 2020-12-01
分類號 C23C16/50(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 龍永燈;楊苗 申請（專利權）人 成都珠峰永明科技有限公司
代理機構 北京華夏泰和知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 張麗穎
地址 610200四川省成都市自由貿(mào)易試驗區(qū)成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟開發(fā)區(qū)空港四路2002號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例提供一種硅異質(zhì)結太陽能電池本征非晶硅膜層的制備方法，包括：提供硅片襯底到反應器腔室中；提供含硅和氫的第一氣體到所述反應器腔室中進行第一等離子氣相沉積；對所述第一等離子氣相沉積后的所述反應器腔室進行抽真空；提供含氫的第二氣體到所述反應器腔室進行第二等離子氣相沉積；其中在所述反應器腔室中進行第一等離子體化學氣相沉積的過程中，所述反應器腔室中的兩個電極相向運動。本技術方案在工藝過程中可以一步完成，反應器腔室不用破空，非晶硅膜層成膜均勻，提升了工藝效率，提高了產(chǎn)量，降低生產(chǎn)成本，有利于改善硅片表面鈍化效果，并提升電池短路電流密度。??