一種減小電壓差的電壓傳遞電路、存儲芯片及其控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811438059.3 申請日 -
公開（公告）號 CN109448773A 公開（公告）日 2019-03-08
申請公布號 CN109448773A 申請公布日 2019-03-08
分類號 G11C16/26（2006.01）I; H02H9/04（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 張登軍; 李建球; 安友偉; 余作歡; 楊小龍; 劉大海; 張亦鋒; 李迪; 陳曉君; 逯釗琦 申請（專利權(quán)）人 合肥博雅半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 合肥博雅半導(dǎo)體有限公司
地址 230012 安徽省合肥市新站區(qū)當(dāng)涂北路530號安徽省泰源工程機(jī)械有限責(zé)任公司研發(fā)中心辦公樓10樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種減小電壓差的電壓傳遞電路、存儲芯片及其控制方法，本發(fā)明通過2個(gè)P型mos管和4個(gè)N型mos管連接并以所述4個(gè)N型mos管的源極作為控制信號端，通過控制電平的高低實(shí)現(xiàn)對各個(gè)mos管導(dǎo)通和截止的控制，實(shí)現(xiàn)了電路中各個(gè)mos管在工作時(shí)，最大電壓差不超過一定值，從而有效保護(hù)mos管，保證電路的可靠性。