深紫外LED芯片及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111296796.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113745382B 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN113745382B 申請公布日 2022-02-11
分類號 H01L33/20（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 杭州若奇技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京高沃律師事務(wù)所 代理人 趙麗恒
地址 310000 浙江省杭州市錢塘新區(qū)河莊街道東圍路599號博潮城4幢一層和二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種深紫外LED芯片，涉及LED芯片制作技術(shù)領(lǐng)域，包括：生長襯底和成形于生長襯底上的外延層，P型半導(dǎo)體層遠離生長襯底的一面與N型半導(dǎo)體層遠離生長襯底的面之間能夠形成臺階，P型半導(dǎo)體層遠離生長襯底的面為上臺階面，N型半導(dǎo)體層遠離生長襯底的面為下臺階面，連接上臺階面和下臺階面之間的面為臺階側(cè)面，臺階側(cè)面包括阻擋層的側(cè)面、發(fā)光層的側(cè)面和P型半導(dǎo)體層的側(cè)面，P型半導(dǎo)體層和發(fā)光層的側(cè)面形成上側(cè)面，阻擋層的側(cè)面形成下側(cè)面，上側(cè)面與水平面之間的夾角小于下側(cè)面與水平面之間的夾角；本發(fā)明還提供了一種如上所述的深紫外LED芯片的制造方法；本發(fā)明提供的方案提高了出光效率且能夠降低芯片的穩(wěn)態(tài)電壓。