半導(dǎo)體紅光激光器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022817278.1 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN214379252U 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號(hào) CN214379252U 申請公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01S5/34（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張立群;黃勇 申請（專利權(quán)）人 蘇州晶歌半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孫偉峰;武岑飛
地址 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城20號(hào)樓3層300-44工位（集群登記）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體紅光激光器，所述半導(dǎo)體紅光激光器的電子阻擋層由受張應(yīng)力的GaInP材料和受壓應(yīng)力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP應(yīng)變超晶格制成。本實(shí)用新型采用了GaInP/AlInP應(yīng)變超晶格制作形成電子阻擋層，其中GaInP受張應(yīng)力，AlInP受壓應(yīng)力，而受張應(yīng)力的GaInP和受壓應(yīng)力AlInP兩者的導(dǎo)帶位置都高于晶格匹配的AlInP材料，使得兩者的組合GaInP/AlInP應(yīng)變超晶格的微帶的有效導(dǎo)帶位置高于晶格匹配的AlInP材料，從而有效的實(shí)現(xiàn)對(duì)電子的限制，抑制了半導(dǎo)體紅光激光器中的電子泄漏，從而降低器件閾值電流，提高器件輸出功率。