雙色紅外探測器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110103882.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112786731A 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN112786731A 申請公布日 2021-05-11
分類號 H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃勇;張立群 申請（專利權(quán)）人 蘇州晶歌半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孫偉峰;武岑飛
地址 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城20號樓3層300-44工位（集群登記）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙色紅外探測器，其包括層疊設(shè)置的中波長紅外探測器和長波長紅外探測器，所述中波長紅外探測器的中波通道吸收層為P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述長波長紅外探測器的長波通道吸收層為P型InAs/GaSb超晶格，所述中波長紅外探測器的中波通道勢壘層和所述長波長紅外探測器的長波通道勢壘層均為N型InPSb/InAs超晶格。本發(fā)明還公開了一種雙色紅外探測器的制作方法。本發(fā)明的雙色紅外探測器的中波通道吸收層采用了InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格，長波通道吸收層采用了InAs/GaSb超晶格，如此保證了各波段器件的最佳性能。