半導(dǎo)體紅光激光器及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011370046.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112382929A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-02-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112382929A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-19 |
| 分類號(hào) | H01S5/34(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張立群;黃勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州晶歌半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 孫偉峰;武岑飛 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城20號(hào)樓3層300-44工位（集群登記） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體紅光激光器，所述半導(dǎo)體紅光激光器的電子阻擋層由受張應(yīng)力的GaInP材料和受壓應(yīng)力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP應(yīng)變超晶格制成。本發(fā)明還公開(kāi)了一種半導(dǎo)體紅光激光器的制作方法。本發(fā)明采用了GaInP/AlInP應(yīng)變超晶格制作形成電子阻擋層，其中GaInP受張應(yīng)力，AlInP受壓應(yīng)力，而受張應(yīng)力的GaInP和受壓應(yīng)力AlInP兩者的導(dǎo)帶位置都高于晶格匹配的AlInP材料，使得兩者的組合GaInP/AlInP應(yīng)變超晶格的微帶的有效導(dǎo)帶位置高于晶格匹配的AlInP材料，從而有效的實(shí)現(xiàn)對(duì)電子的限制，抑制了半導(dǎo)體紅光激光器中的電子泄漏，從而降低器件閾值電流，提高器件輸出功率。?? |
