紅外探測器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710509150.9 申請日 -
公開（公告）號 CN109148638B 公開（公告）日 2020-03-27
申請公布號 CN109148638B 申請公布日 2020-03-27
分類號 H01L31/109;H01L31/18;H01L31/032 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃勇;趙宇;熊敏;吳啟花 申請（專利權(quán)）人 蘇州晶歌半導體有限公司
代理機構(gòu) 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孫偉峰
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城20號樓3層300室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種紅外探測器及其制備方法，所述紅外探測器包括襯底、第一電極、第二電極及從下而上依次設(shè)置于所述襯底上的接觸層、空穴勢壘層、吸收層、電子勢壘層，所述第一電極與所述接觸層連接，所述第二電極與所述電子勢壘層連接，所述空穴勢壘層為InGaAs/InAsSb超晶格。所述紅外探測器的制備方法包括：提供一襯底；從下而上依次在所述襯底上生長形成接觸層、空穴勢壘層、吸收層、電子勢壘層，所述空穴勢壘層為InGaAs/InAsSb超晶格；分別在所述接觸層上沉積第一電極、在所述電子勢壘層上沉積第二電極。本發(fā)明提供的紅外探測器的空穴勢壘層為InGaAs/InAsSb超晶格，空穴勢壘層中不含鋁，降低了材料生長和加工的難度、提升了穩(wěn)定性和可靠性。