紅外探測(cè)器及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011519765.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112531047A 公開(kāi)（公告）日 2021-03-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN112531047A 申請(qǐng)公布日 2021-03-19
分類號(hào) H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/102(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張立群;黃勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州晶歌半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孫偉峰;武岑飛
地址 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城20號(hào)樓3層300-44工位（集群登記）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種紅外探測(cè)器及其制作方法。所述紅外探測(cè)器的N型吸收層(12)為N型InAs材料或者N型InAs/InPSb超晶格，并且所述紅外探測(cè)器的N型勢(shì)壘層(13)為N型InPSb材料。本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)中完全不含Al，避免了含Al材料的氧化，降低了材料生長(zhǎng)和加工的難度，提升了器件穩(wěn)定性和可靠性。??