紅外探測(cè)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022761132.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN215496746U 公開（公告）日 2022-01-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN215496746U 申請(qǐng)公布日 2022-01-11
分類號(hào) H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/0304（2006.01）I;H01L31/102（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張立群;黃勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州晶歌半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孫偉峰;武岑飛
地址 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城20號(hào)樓3層300-44工位（集群登記）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種紅外探測(cè)器，其P型超晶格勢(shì)壘層（14）為P型InPSb/GaSb超晶格。本實(shí)用新型采用InPSb/GaSb超晶格制作形成電子勢(shì)壘層，其勢(shì)壘高度高于傳統(tǒng)的InAs/GaSb超晶格電子勢(shì)壘，從而改善電子阻擋效果。本實(shí)用新型還公開了一種紅外探測(cè)器，其N型超晶格勢(shì)壘層（12）為N型InPSb/GaSb超晶格。本實(shí)用新型采用InPSb/GaSb超晶格制作形成空穴勢(shì)壘層，由于不含有Al，因此避免了含Al材料的氧化，降低了材料生長(zhǎng)和加工的難度，提升了器件穩(wěn)定性和可靠性。