紅外探測器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011345739.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112310234A 公開（公告）日 2021-02-02
申請公布號 CN112310234A 申請公布日 2021-02-02
分類號 H01L31/0352(2006.01)I; 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張立群;黃勇 申請（專利權）人 蘇州晶歌半導體有限公司
代理機構 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 代理人 孫偉峰;武岑飛
地址 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城20號樓3層300-44工位（集群登記）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種紅外探測器，其P型超晶格勢壘層(14)為P型InPSb/GaSb超晶格。本發(fā)明采用InPSb/GaSb超晶格制作形成電子勢壘層，其勢壘高度高于傳統(tǒng)的InAs/GaSb超晶格電子勢壘，從而改善電子阻擋效果。本發(fā)明還公開了一種紅外探測器，其N型超晶格勢壘層(12)為N型InPSb/GaSb超晶格。本發(fā)明采用InPSb/GaSb超晶格制作形成空穴勢壘層，由于不含有Al，因此避免了含Al材料的氧化，降低了材料生長和加工的難度，提升了器件穩(wěn)定性和可靠性。本發(fā)明還公開了一種紅外探測器的制作方法。??