低柵漏電容的縱向場效應晶體管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710126852.9 申請日 -
公開（公告）號 CN106876450A 公開（公告）日 2017-06-20
申請公布號 CN106876450A 申請公布日 2017-06-20
分類號 H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡欣 申請（專利權）人 上海矽望電子科技有限公司
代理機構 上海大視知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 上海矽望電子科技有限公司;張帥;黃昕;濟南安海半導體有限公司
地址 200093 上海市楊浦區(qū)周家嘴路3805號3128室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種采用了該發(fā)明的低柵漏電容的縱向場效應晶體管及其制造方法，屬于半導體技術領域。在該方法中，由于其首先在襯底的頂部形成凸出于襯底頂部的厚柵氧區(qū)，并在該厚柵氧區(qū)之上形成作為柵極的多晶硅，從而利用該厚柵氧增加了柵漏電容介質(zhì)層的厚度，同樣的還可以進一步減少柵極與漏極覆蓋區(qū)域的面積，減小柵漏電容，降低開關損耗，提升場效應晶體管的性能，進而使本發(fā)明的低柵漏電容的縱向場效應晶體管更適用于高頻應用，且該低柵漏電容的縱向場效應晶體管的結構簡單，制造方法簡便，生產(chǎn)及應用成本也較為低廉。