低柵漏電容的縱向場效應(yīng)晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201720207029.6 申請日 -
公開（公告）號 CN206490067U 公開（公告）日 2017-09-12
申請公布號 CN206490067U 申請公布日 2017-09-12
分類號 H01L29/423(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡欣 申請（專利權(quán)）人 上海矽望電子科技有限公司
代理機構(gòu) 上海大視知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 上海矽望電子科技有限公司;張帥;黃昕;濟南安海半導(dǎo)體有限公司
地址 200093 上海市楊浦區(qū)周家嘴路3805號3128室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種采用了該實用新型的低柵漏電容的縱向場效應(yīng)晶體管，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。采用該結(jié)構(gòu)的低柵漏電容的縱向場效應(yīng)晶體管，由于其襯底的頂部形成有凸出于襯底頂部的厚柵氧區(qū)，并在該厚柵氧區(qū)之上形成有作為柵極的多晶硅，從而利用該厚柵氧區(qū)增加了柵漏電容介質(zhì)層的厚度，同樣的還可以進一步減少柵極與漏極覆蓋區(qū)域的面積，減小柵漏電容，降低開關(guān)損耗，提升場效應(yīng)晶體管的性能，進而使本實用新型的低柵漏電容的縱向場效應(yīng)晶體管更適用于高頻應(yīng)用，且該低柵漏電容的縱向場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)簡單，制造方法簡便，生產(chǎn)及應(yīng)用成本也較為低廉。