一種3D異構(gòu)集成多功能收發(fā)芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110784045.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113567929A | 公開(公告)日 | 2021-10-29 |
申請公布號 | CN113567929A | 申請公布日 | 2021-10-29 |
分類號 | G01S7/02(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 沈國策;周駿 | 申請(專利權(quán))人 | 南京國博電子股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 施昊 |
地址 | 211111江蘇省南京市江寧經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)正方中路166號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種3D異構(gòu)集成多功能收發(fā)芯片,包括由上至下的微波信號幅度與相位控制層、高密度Bump互連層、微波信號收發(fā)放大層和背面輸入/輸出端口層。本發(fā)明采用3D異構(gòu)集成中道工藝,將Si CMOS幅相多功能芯片和GaAs高功率收發(fā)芯片垂直互連在一起,重點在于Si CMOS和GaAs芯片分別采用了TSV工藝和Hot Via工藝,同時兩者的互連界面使用了Bump結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可實現(xiàn)微波信號的接收、發(fā)射和幅相控制,具有高集成、小型化和發(fā)射功率高等特點。 |
