混合非易失性存儲器結(jié)構(gòu)及其方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710842744.1 申請日 -
公開(公告)號 CN107910031B 公開(公告)日 2018-04-13
申請公布號 CN107910031B 申請公布日 2018-04-13
分類號 G11C14/00(2006.01)I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 駱志炯;王澍;金曉明 申請(專利權(quán))人 上海博維邏輯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 上海博維邏輯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
地址 201306上海市浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)云端路1412弄15號2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 這里一般描述了用于包括多個(gè)SRAM緩沖器的混合非易失性存儲器結(jié)構(gòu)的技術(shù)。首先通過執(zhí)行存取隊(duì)列緩沖讀/寫操作,可以對非易失性讀/寫操作實(shí)現(xiàn)SRAM存取時(shí)間。SRAM緩沖器可以作為系統(tǒng)SRAM共享。在其他示例中,根據(jù)一些實(shí)施例的混合非易失性存儲器可以包括高速塊和高耐久性塊以存儲具有不同存取需求的不同類型的數(shù)據(jù)?;旌戏且资源鎯ζ鬟€可以包括用于存儲非頻繁改變的數(shù)據(jù)的正常塊。??