一種多晶硅生產(chǎn)用還原爐
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201721748411.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN207671694U | 公開(公告)日 | 2018-07-31 |
申請公布號 | CN207671694U | 申請公布日 | 2018-07-31 |
分類號 | C01B33/035 | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 馮謹(jǐn);孟昱良;姚亮 | 申請(專利權(quán))人 | 河北東明中硅科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京德崇智捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 河北東明中硅科技有限公司 |
地址 | 052360 河北省石家莊市辛集市工業(yè)路南段東側(cè)制革區(qū)內(nèi) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種多晶硅生產(chǎn)用還原爐,包括底座,電極,硅芯,爐體和氣體循環(huán)裝置;底座內(nèi)部設(shè)有導(dǎo)流腔,導(dǎo)流腔的頂壁上開設(shè)有若干爐體出氣孔;爐體包括外爐體,內(nèi)爐體和夾套層,爐體出氣孔與內(nèi)爐體相連通,外爐體上設(shè)有冷媒進(jìn)管和冷媒出管;氣體循環(huán)裝置包括出氣管,罩體和進(jìn)氣管;出氣管延伸至內(nèi)爐體上部,出氣管與罩體之間形成出氣風(fēng)道,導(dǎo)流腔的頂壁上開設(shè)有導(dǎo)流腔出氣孔,進(jìn)氣管的上端設(shè)有球形儲氣腔,儲氣腔上均勻設(shè)有進(jìn)氣孔,進(jìn)氣管的下端貫穿出氣管的側(cè)壁。本裝置內(nèi)氣體流動無死角,避免了倒?fàn)t現(xiàn)象,同時(shí)能將出氣管中氣體的熱量在還原爐內(nèi)部進(jìn)行吸收,減小耗電量,極大的節(jié)約了成本。 |
