一種晶圓減薄方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110645550.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113380614A 公開（公告）日 2021-09-10
申請公布號 CN113380614A 申請公布日 2021-09-10
分類號 H01L21/304（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張韶軒;溫虎;郭靖 申請（專利權(quán)）人 東莞安晟半導體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 深圳國海智峰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王慶海;劉軍鋒
地址 510700廣東省廣州市黃埔區(qū)科學大道18號A棟410房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及晶圓處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶圓減薄方法，取一襯底進行預處理；在待處理的晶圓表面覆上膠體層，測量膠體層的厚度，控制膠體層的厚度在預定范圍內(nèi)；將晶圓粘接在襯底上并對晶圓進行減薄處理，待減薄處理完成后使晶圓和襯底進行分離。以此先將晶圓粘接在襯底上再對晶圓進行減薄處理，使得襯底在減薄處理過程中能為晶圓提供支撐，可以有效降低減薄時晶圓碎裂的風險，提高晶圓的生產(chǎn)質(zhì)量，有利于提高產(chǎn)品的良品率。