一種MOSFET器件的制作工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011581632.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112701053A 公開（公告）日 2021-04-23
申請公布號 CN112701053A 申請公布日 2021-04-23
分類號 H01L21/50;H01L21/336;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許海東;王禮選 申請（專利權）人 江蘇晟華半導體有限公司
代理機構 北京冠和權律師事務所 代理人 吳金水
地址 224000 江蘇省鹽城市鹽都區(qū)鹽龍街道智能終端創(chuàng)業(yè)園南區(qū)S3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種MOSFET器件的制作工藝，包括步驟一，在引腳側壁加工插槽；步驟二，將引腳和晶體管芯片的輸出端進行焊接；步驟三，將焊接有引腳的晶體管芯片嵌入外殼內并固定；步驟四，將加強筋插接部位插接入引腳的插槽內；步驟五，使用焊接裝置使加強筋和引腳焊接固定。本發(fā)明的目的在于提供一種減小晶體管損壞的概率的MOSFET器件。