一種MOSFET器件的制作工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011581632.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112701053B 公開（公告）日 2021-10-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN112701053B 申請(qǐng)公布日 2021-10-26
分類號(hào) H01L21/50;H01L21/336;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許海東;王禮選 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇晟華半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京冠和權(quán)律師事務(wù)所 代理人 吳金水
地址 224000 江蘇省鹽城市鹽都區(qū)鹽龍街道智能終端創(chuàng)業(yè)園南區(qū)S3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種MOSFET器件的制作工藝，包括步驟一，在引腳側(cè)壁加工插槽；步驟二，將引腳和晶體管芯片的輸出端進(jìn)行焊接；步驟三，將焊接有引腳的晶體管芯片嵌入外殼內(nèi)并固定；步驟四，將加強(qiáng)筋插接部位插接入引腳的插槽內(nèi)；步驟五，使用焊接裝置使加強(qiáng)筋和引腳焊接固定。本發(fā)明的目的在于提供一種減小晶體管損壞的概率的MOSFET器件。